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霍尔效应测量系统 L79/HCS

型 号

所属分类霍尔效应

报价

发布时间2017-03-27

产品描述:霍尔效应测量系统 L79/HCS
L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

产品概述

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(zui高温度可达240°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V  I-R 数据图.

XITONGKECESHIDUOZHONGCAILIAOBAOKUOSi, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N XINGHUOPXINGJUNKECELIANG), JINSHUMO, YANGHUAWUDENG. YANGPINCESHISHIBIANKEWANCHENGXITONGGONGNENGYANSHI

 

特点

• 载流子浓度

• 电阻率

• 迁移率

• 电导率

• α (水平电阻值/垂直电阻值)

• 霍尔常数

• 磁致电阻

 

输入电流:500nA  10mA (500nA 步长)
霍尔电压:0.5  4.5V
极限分辨率:65pV
样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm
磁场强度:可达 1T
传感器:液氮温度到 240°C

 

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